提供了一種光學高溫計和一種使用該光學高溫計處理半導體的設備，該光學高溫計具有減少接收部的污染的結構。其他方面將在下面的描述中部分地進行闡述，并且部分地通過該描述將是清楚的，或者可以通過給出的示例性實施例的實施而明了。根據本公開的一方面，光學高溫計包括:接收部，具有用于接收加熱單元的光輻射的接收端；和殼部，覆蓋除接收部的接收端以外的接收部，其中，接收部的接收端的與接收部的接收端的縱向垂直的截面的面積朝接收部的接收端的端部減小。
接收部的接收端可以具有半球形形狀、錐形形狀、圓錐形形狀、截圓錐形形狀、多棱錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。光學高溫計還可以包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率可以設置成使得在接收部的接收端處產生的渦流為大的值。接收部可以包括用于傳輸光的導光管。接收部可以由透明材料形成。
殼部的端部可以相對于接收部的接收端的端部突出。接收部的接收端可以布置成鄰近加熱單元。根據本公開的另一方面，半導體處理設備包括:室，用于容納基底，所述基底用來處理半導體；加熱單元，用于加熱室的內部；和高溫計，用于檢測室的內部的溫度，所述高溫計包括接收部和殼部，接收部具有接收端，接收端用于接收加熱單元的光輻射，殼部覆蓋除接收部的接收端以外的接收部，其中，接收部的接收端的與接收部的接收端的縱向垂直的截面的面積朝接收部的接收端的端部減小。接收部的接收端可以具有半球形形狀、錐形形狀、圓錐形形狀、截圓錐形形狀、多棱錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。半導體處理設備還可以包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率可以設置成使得在接收部的接收端處產生的渦流為大的值。接收部可以包括用于傳輸光的導光管。接收部可以由透明材料形成。殼部的端部可以相對于接收部的接收端的端部突出。接收部的接收端可以布置成鄰近加熱單元。半導體處理設備可以是有機化學沉積設備。半導體處理設備還可以包括被加熱單元加熱并用于支持室中的基底的支持物，其中，接收部的接收端布置成鄰近支持物。支持物可以是用于支持基底的襯托器
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